Вовед во облогата со силициум карбид
Нашиот слој од силикон карбид (SiC) со хемиско таложење на пареа (CVD) е многу издржлив и отпорен на абење слој, идеален за средини кои бараат висока отпорност на корозија и топлина.Силикон карбид слојсе нанесува во тенки слоеви на различни подлоги преку CVD процесот, нудејќи супериорни карактеристики на изведба.
Клучни карактеристики
● -Исклучителна чистота: Може да се пофали со ултра чист состав на99,99995%, нашатаSiC облогаги минимизира ризиците од контаминација во чувствителните полупроводнички операции.
● -Супериорен отпор: Покажува одлична отпорност и на абење и на корозија, што го прави совршен за предизвикувачки хемиски и плазма поставки.
● -Висока топлинска спроводливост: Обезбедува сигурни перформанси при екстремни температури поради неговите извонредни термички својства.
● -Димензионална стабилност: Одржува структурен интегритет на широк опсег на температури, благодарение на нискиот коефициент на термичка експанзија.
● -Подобрена цврстина: Со рејтинг на цврстина од40 GPa, нашиот SiC слој издржува значително влијание и триење.
● -Мазна површинска завршница: Обезбедува завршница слична на огледало, намалувајќи го создавањето на честички и зголемувајќи ја оперативната ефикасност.
Апликации
Семицера SiC облогисе користат во различни фази на производство на полупроводници, вклучувајќи:
● -Изработка на LED чипови
● -Производство на полисилициум
● -Полупроводнички кристален раст
● -Силиконска и SiC епитаксија
● -Термичка оксидација и дифузија (TO&D)
Ние доставуваме компоненти обложени со SiC изработени од изостатичен графит со висока јачина, јаглерод засилен со јаглеродни влакна и 4N рекристализиран силициум карбид, приспособени за реактори со флуидизиран слој,STC-TCS конвертори, CZ единечни рефлектори, SiC чамец со нафора, SiCwafer лопатка, SiC цевка за нафора и носачи на нафора што се користат во PECVD, силициумска епитаксија, MOCVD процеси.
Придобивки
● -Продолжен животен век: Значително го намалува времето на прекин на опремата и трошоците за одржување, зголемувајќи ја севкупната ефикасност на производството.
● -Подобрен квалитет: Постигнува површини со висока чистота неопходни за полупроводничка обработка, со што се зголемува квалитетот на производот.
● -Зголемена ефикасност: Ги оптимизира термичките и CVD процесите, што резултира со пократки циклуси и повисоки приноси.
Технички спецификации
● -Структура: FCC β фаза поликристален, главно (111) ориентиран
● -Густина: 3,21 g/cm³
● -Цврстина: 2500 Vickes цврстина (500 g товар)
● -Цврстина на фрактура: 3,0 MPa·m1/2
● -Коефициент на термичка експанзија (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Еластичен модул(1300 ℃):435 GPa
● -Типична дебелина на филмот:100 µm
● -Грубост на површината:2-10 µm
Податоци за чистота (мерено со масовна спектроскопија на празнење на сјај)
| Елемент | ppm | Елемент | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Ал | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
