-
Што е RTP носач на нафора?
Разбирање на неговата улога во производството на полупроводници Истражување на суштинската улога на RTP носачите на нафора во напредната полупроводничка обработка Во светот на производството на полупроводници, прецизноста и контролата се клучни за производство на висококвалитетни уреди што ја напојуваат модерната електроника. Еден од...Прочитајте повеќе -
Што е Epi Carrier?
Истражување на нејзината клучна улога во обработката на епитаксија на нафора Разбирање на важноста на носителите на Epi во напредното производство на полупроводници Во индустријата за полупроводници, производството на висококвалитетни епитаксијални (epi) обланди е критичен чекор во производството на уреди како што се транзистори, диодни...Прочитајте повеќе -
Полупроводнички процес и опрема (1/7) – Процес на производство на интегрирани кола
1.За интегрираните кола 1.1 Концептот и раѓањето на интегрираните кола Интегрирано коло (IC): се однесува на уред кој комбинира активни уреди како што се транзистори и диоди со пасивни компоненти како што се отпорници и кондензатори преку серија специфични технолошки процеси за ...Прочитајте повеќе -
Што е носач на Epi Pan?
Индустријата за полупроводници се потпира на високо специјализирана опрема за производство на висококвалитетни електронски уреди. Една таква критична компонента во процесот на епитаксијален раст е носачот на epi pan. Оваа опрема игра клучна улога во таложењето на епитаксијалните слоеви на полупроводничките наполитанки.Прочитајте повеќе -
Што е MOCVD Susceptor?
Метално-органско хемиско таложење на пареа (MOCVD) е клучен процес во индустријата за полупроводници, каде што висококвалитетните тенки фолии се таложат на подлогите. Клучна компонента на процесот MOCVD е сусцепторот, витален елемент кој игра клучна улога во обезбедувањето униформност и квалитет...Прочитајте повеќе -
Што е SiC облога?
Силициум карбид (SiC) облоги брзо стануваат суштински во различни апликации со високи перформанси поради нивните извонредни физички и хемиски својства. Применети преку техники како физичко или хемиско таложење на пареа (CVD) или методи на прскање, SiC облогите ја трансформираат површината про...Прочитајте повеќе -
Што е MOCVD носач на нафора?
На полето на производството на полупроводници, технологијата MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) брзо станува клучен процес, при што MOCVD носачот на нафора е една од нејзините основни компоненти. Напредокот во MOCVD Wafer Carrier не се рефлектира само во неговиот производствен процес, туку...Прочитајте повеќе -
Што е тантал карбид?
Тантал карбид (TaC) е бинарно соединение на тантал и јаглерод со хемиска формула TaC x, каде што x обично варира помеѓу 0,4 и 1. Тие се исклучително тврди, кршливи, огноотпорни керамички материјали со метална спроводливост. Тие се кафеаво-сиви пудри и ни се ...Прочитајте повеќе -
што е тантал карбид
Тантал карбид (TaC) е керамички материјал со ултра висока температура со отпорност на висока температура, висока густина, висока компактност; висока чистота, содржина на нечистотија <5 PPM; и хемиска инертност кон амонијак и водород при високи температури и добра термичка стабилност. Таканаречената ултра висока ...Прочитајте повеќе -
Што е епитаксија?
Повеќето инженери не се запознаени со епитаксијата, која игра важна улога во производството на полупроводнички уреди. Епитаксијата може да се користи во различни производи од чип, а различни производи имаат различни видови на епитаксии, вклучително и Si епитаксија, SiC епитаксии, GaN епитаксии итн. Што е епитаксија? Епитаксијата е ...Прочитајте повеќе -
Кои се важните параметри на SiC?
Силициум карбид (SiC) е важен полупроводнички материјал со широк опсег што широко се користи во електронски уреди со висока моќност и висока фреквенција. Следниве се некои клучни параметри на наполитанките од силициум карбид и нивните детални објаснувања: Параметри на решетка: Обезбедете ...Прочитајте повеќе -
Зошто треба да се тркала силиконот со еден кристал?
Валањето се однесува на процес на мелење на надворешниот дијаметар на силиконска еднокристална прачка во еднокристална прачка со потребниот дијаметар со помош на тркало за мелење со дијаманти и мелење на референтна површина со рамен раб или жлеб за позиционирање на еднокристалната прачка. Надворешниот дијаметар на површината ...Прочитајте повеќе