Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (Графит обложен TaC чувствител), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот. Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.
По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој. Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна. Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Semicera за раст на еден кристал
со и без TaC
По користење на TaC (десно)
Дополнително, работниот век на производите за обложување TaC на Semicera е подолг и поотпорен на високи температури од оној на облогата со SiC. По долго време на податоци од лабораториски мерења, нашиот TaC може да работи долго време на максимални 2300 степени Целзиусови. Следниве се некои од нашите примероци:
(а) Шематски дијаграм на уред за одгледување инготи со еднокристал SiC со PVT метод (б) држач за семе обложено со врвен TaC (вклучувајќи го и семето SiC) (в) водечки прстен од графит обложен со TAC
-
Носач за чамци со кристал од силициум карбид со висока чистота...
-
Силициум карбид (SiC) нафора чувствителни за MOCVD
-
SiC облога Силиконски епитаксијално таложење во бар...
-
Реактор со барел обложен со SiC за епитаксија во течна фаза
-
SiC облога Графитен нафора
-
Полупроводнички делови од второто полувреме за епитаксија