Висококвалитетна облога од тантал карбид (TaC).

Краток опис:

TaC облогата на Semicera нуди исклучителна стабилност на високи температури, надминувајќи го SiC, издржувајќи до 2300℃. Идеален за воздушна и трета генерација полупроводнички раст на еднокристалот, обезбедува корозија, оксидација и отпорност на абење. Изберете Semicera за највисоко фабричко производство и квалитет.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (Графит обложен TaC чувствител), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот. Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.

По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој. Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна. Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Semicera за раст на еден кристал

TaC обложен дел за раст монокристал

Тантал карбид слој против абење_ Ја заштитува опремата од абење и корозија Избрана слика

Графитен прстен обложен со TaC

со и без TaC

По користење на TaC (десно)

Дополнително, работниот век на производите за обложување TaC на Semicera е подолг и поотпорен на високи температури од оној на облогата со SiC. По долго време на податоци од лабораториски мерења, нашиот TaC може да работи долго време на максимални 2300 степени Целзиусови. Следниве се некои од нашите примероци: