-
Процес на производство на полупроводници – Технологија на Еч
Потребни се стотици процеси за да се претвори нафора во полупроводник. Еден од најважните процеси е офорт - односно резбање фини шеми на кола на нафората. Успехот на процесот на офорт зависи од управувањето со различни променливи во одреден опсег на дистрибуција и секое офортување...Прочитајте повеќе -
Идеален материјал за фокусни прстени во опрема за плазма офорт: силициум карбид (SiC)
Во опремата за офорт со плазма, керамичките компоненти играат клучна улога, вклучувајќи го и фокусниот прстен. Фокусниот прстен, поставен околу обландата и во директен контакт со него, е од суштинско значење за фокусирање на плазмата на обландата со примена на напон на прстенот. Ова ја подобрува ОН...Прочитајте повеќе -
Ефект на обработката на еднокристал со силициум карбид врз квалитетот на површината на нафора
Полупроводничките енергетски уреди заземаат основна позиција во енергетските електронски системи, особено во контекст на брзиот развој на технологии како што се вештачката интелигенција, 5G комуникациите и возилата со нова енергија, барањата за изведба за нив се ...Прочитајте повеќе -
Клучен јадро материјал за раст на SiC: облога од тантал карбид
Во моментов, во третата генерација на полупроводници доминира силициум карбид. Во структурата на трошоците на неговите уреди, подлогата учествува со 47%, а епитаксијата со 23%. Двете заедно сочинуваат околу 70%, што е најважниот дел од производството на уредите со силициум карбид...Прочитајте повеќе -
Како производите обложени со тантал карбид ја зголемуваат отпорноста на корозија на материјалите?
Облогата со тантал карбид е најчесто користена технологија за површинска обработка која може значително да ја подобри отпорноста на корозија на материјалите. Облогата со тантал карбид може да се прицврсти на површината на подлогата преку различни методи на подготовка, како што се хемиско таложење на пареа, физика...Прочитајте повеќе -
Вчера, Одборот за иновации на науката и технологијата објави соопштение дека Huazhuo Precision Technology го прекина своето IPO!
Штотуку ја објавивме испораката на првата 8-инчна SIC опрема за ласерско жарење во Кина, која исто така е технологија на Tsinghua; Зошто самите ги повлекоа материјалите? Само неколку зборови: Прво, производите се премногу разновидни! На прв поглед не знам што прават. Во моментов, Х...Прочитајте повеќе -
CVD силициум карбид слој-2
CVD облога од силициум карбид 1. Зошто има облога од силициум карбид Епитаксијалниот слој е специфичен еднокристален тенок филм кој се одгледува врз основа на нафората низ епитаксијалниот процес. Обландата од подлогата и епитаксијалниот тенок филм заедно се нарекуваат епитаксијални наполитанки. Меѓу нив, на...Прочитајте повеќе -
Процес на подготовка на SIC облога
Во моментов, методите за подготовка на облогата SiC главно вклучуваат метод на гел-сол, метод на вградување, метод на обложување со четка, метод на прскање со плазма, метод на хемиска реакција на пареа (CVR) и метод на хемиско таложење на пареа (CVD). Метод на вградувањеОвој метод е еден вид високотемпературен цврстофазен ...Прочитајте повеќе -
CVD силикон карбид слој-1
Што е CVD SiC Хемиското таложење на пареа (CVD) е процес на вакуум таложење што се користи за производство на цврсти материјали со висока чистота. Овој процес често се користи во полето за производство на полупроводници за да се формираат тенки филмови на површината на наполитанките. Во процесот на подготовка на SiC со CVD, подлогата е експ...Прочитајте повеќе -
Анализа на структурата на дислокација во SiC кристал со симулација на трасирање зраци, помогната со тополошко снимање со рендген
Позадина на истражувањето Применливо значење на силициум карбид (SiC): Како полупроводнички материјал со широк опсег, силициум карбидот привлече големо внимание поради неговите одлични електрични својства (како што се поголем пропусен јаз, поголема брзина на заситеност на електрони и топлинска спроводливост). Овие реквизити...Прочитајте повеќе -
Процес на подготовка на семе кристали во раст на единечни кристали SiC 3
Потврда на растот Кристалите од семето на силициум карбид (SiC) беа подготвени по наведениот процес и потврдени преку растот на кристалите на SiC. Користената платформа за раст беше само-развиена индукциона печка за раст на SiC со температура на раст од 2200℃, притисок на раст од 200 Pa и раст ...Прочитајте повеќе -
Процес на подготовка на семе кристали во раст на SiC со еден кристал (Дел 2)
2. Експериментален процес 2.1 Стврднување на леплива фолија Беше забележано дека директното создавање на јаглеродна фолија или поврзување со графитна хартија на SiC обланди обложени со лепило доведе до неколку проблеми: 1. Под вакуумски услови, лепливата фолија на наполитанките SiC развила изглед на скала поради да потпишам...Прочитајте повеќе