CVD Масовен силикон карбид (SiC)
Преглед:CVDрефус силициум карбид (SiC)е многу баран материјал во опремата за офорт со плазма, апликациите за брза термичка обработка (RTP) и други процеси на производство на полупроводници. Неговите исклучителни механички, хемиски и термички својства го прават идеален материјал за апликации со напредна технологија кои бараат висока прецизност и издржливост.
Апликации на CVD Bulk SiC:Масовниот SiC е од клучно значење во индустријата за полупроводници, особено во системите за офорт со плазма, каде што компонентите како што се прстените за фокусирање, туш кабините со гас, рабните прстени и плочите имаат корист од извонредната отпорност на корозија и топлинска спроводливост на SiC. Неговата употреба се протега наRTPсистеми поради способноста на SiC да издржи брзи температурни флуктуации без значителна деградација.
Во прилог на опрема за офорт, CVDрефус SiCе фаворизиран во дифузните печки и процесите на раст на кристалите, каде што е потребна висока термичка стабилност и отпорност на сурови хемиски средини. Овие атрибути го прават SiC материјалот на избор за апликации со висока побарувачка кои вклучуваат високи температури и корозивни гасови, како што се оние што содржат хлор и флуор.
Предности на CVD Bulk SiC компонентите:
•Висока густина:Со густина од 3,2 g/cm³,CVD масовно SiCкомпонентите се многу отпорни на абење и механички удари.
•Супериорна топлинска спроводливост:Нудејќи топлинска спроводливост од 300 W/m·K, најголемиот дел SiC ефикасно управува со топлината, што го прави идеален за компоненти изложени на екстремни термички циклуси.
•Исклучителна хемиска отпорност:Ниската реактивност на SiC со гасови за гравирање, вклучувајќи хлор и хемикалии базирани на флуор, обезбедува продолжен век на траење на компонентите.
•Прилагодлив отпор: CVD рефус SiCотпорноста може да се прилагоди во опсег од 10⁻²–104 Ω-cm, што го прави прилагодлив на специфичните потреби за офорт и производство на полупроводници.
•Коефициент на термичка експанзија:Со коефициент на термичка експанзија од 4,8 x 10-6/°C (25-1000°C), најголемиот дел од CVD SiC отпорен на термички удар, одржувајќи ја димензионалната стабилност дури и при брзи циклуси на загревање и ладење.
•Трајност во плазма:Изложеноста на плазма и реактивни гасови е неизбежна во полупроводничките процеси, ноCVD масовно SiCнуди супериорна отпорност на корозија и деградација, намалувајќи ја фреквенцијата на замена и вкупните трошоци за одржување.
Технички спецификации:
•Дијаметар:Поголема од 305 mm
•Отпорност:Прилагодлив во рамките на 10⁻²–104 Ω-cm
•Густина:3,2 g/cm³
•Топлинска спроводливост:300 W/m·K
•Коефициент на термичка експанзија:4,8 x 10-6/°C (25-1000°C)
Приспособување и флексибилност:НаПолупроводнички полупроводник, разбираме дека секоја апликација за полупроводници може да бара различни спецификации. Затоа нашите CVD масовни SiC компоненти се целосно приспособливи, со прилагодлива отпорност и приспособени димензии за да одговараат на потребите на вашата опрема. Без разлика дали ги оптимизирате вашите системи за офорт со плазма или барате издржливи компоненти во процесите на RTP или дифузија, нашиот масовен CVD SiC обезбедува неспоредливи перформанси.
