Капаци обложени со тантал карбид

Краток опис:

Со доаѓањето на 8-инчните силициум карбид (SiC) наполитанки, барањата за различни полупроводнички процеси станаа сè построги, особено за процесите на епитаксијата каде температурите можат да надминат 2000 степени Целзиусови. Традиционалните чувствителни материјали, како што е графитот обложен со силициум карбид, имаат тенденција да се сублимираат на овие високи температури, со што се нарушува процесот на епитаксија. Сепак, CVD тантал карбид (TaC) ефикасно се справува со ова прашање, издржувајќи температури до 2300 степени Целзиусови и нудејќи подолг работен век. Контакт Semicera's Капаци обложени со тантал карбидза да истражите повеќе за нашите напредни решенија.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (Графит обложен TaC чувствител), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот. Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.

Со доаѓањето на 8-инчните силициум карбид (SiC) наполитанки, барањата за различни полупроводнички процеси станаа сè построги, особено за процесите на епитаксијата каде температурите можат да надминат 2000 степени Целзиусови. Традиционалните чувствителни материјали, како што е графитот обложен со силициум карбид, имаат тенденција да се сублимираат на овие високи температури, со што се нарушува процесот на епитаксија. Сепак, CVD тантал карбид (TaC) ефикасно се справува со ова прашање, издржувајќи температури до 2300 степени Целзиусови и нудејќи подолг работен век. Контактирајте ги капаците обложени со тантал карбид на Semicera за да истражите повеќе за нашите напредни решенија.

По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој. Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна. Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Simicera за раст на еден кристал.

Тантал карбид со висока ефикасност - ја подобрува ефикасноста на индустриското производство и ги намалува трошоците за одржување Избрана слика

Tac дел за раст монокристал

Тантал карбид слој против абење_ Ја заштитува опремата од абење и корозија Избрана слика

Графит со обложен прстен со TaC

со и без TaC

По користење на TaC (десно)

Покрај тоа, на SemiceraПроизводи обложени со TaCпокажуваат подолг работен век и поголема отпорност на високи температури во споредба соSiC облоги.Лабораториските мерења покажаа дека нашитеTaC облогиможе постојано да работи на температури до 2300 Целзиусови степени за подолги периоди. Подолу се неколку примери од нашите примероци: