Дома
За нас
Производи
Контактирајте со нас
Карактеристика
Најчесто поставувани прашања
Вести
- Вести од компанијата
- Вести од индустријата

Дома
Нафора
SiC супстрат

Категории

CVD SiC облога
CVD TaC облога
Технологија за површинска обработка
Силикон карбид керамика
Полупроводнички кварц
Производи од полупроводнички графит
- Силиконизиран графит
- Изостатски графитни компоненти
Јаглеродни влакна
Нафора
Повеќе керамички производи

Истакнати производи

Тантал карбид TaC CVD облога Прилагодени делови
Прстен обложен со тантал карбид
Високопрецизен SiC керамички ефектор
Конзолно лопатка од силициум карбид
Долг работен век Носач за графит обложен со SiC за така...
Алатка за графит обложен со силикон карбид, за Epitaxy C...
Антиоксидациски MOCVD фиока обложена со SiC со висока чистота
Структура на барел за обложување на SiC за сусцептор за буриња
Полупроводнички делови од второто полувреме за епитаксија

SiC супстрат

6 lnch n-тип како супстрат
Подлога 4H-SiC од типот P од 2~6 инчи со надворешен агол од 4°
4″ 6″ 8″ спроводливи и полуизолациски подлоги
4″ 6″ полуизолациски SiC подлога
8lnch n-тип на проводен SiC супстрат
4″ 6″ полуизолациски SiC ингот со висока чистота
4″6″ 8″ N-тип на SiC ингот
6 инчи N-тип SiC нафора
P-тип SiC супстрат нафора
8 инчи N-тип SiC нафора
4 инчен N-тип на SiC супстрат
6 инчен полуизолациски HPSI SiC нафора

1 2 Следно >>> Страница 1/2

информации

Профил на компанијата
Контактирајте со нас
Сертификација и чест
Производи

ново писмо

За прашања за нашите производи или ценовник, ве молиме оставете ни ја вашата е-пошта и ќе стапиме во контакт во рок од 24 часа.

Прашање за ценовник

нашиот контакт

86-13373889683
777, Западен пат Zhongguan, округ Zhenhai, Ningbo, Жеџијанг, 315201, Кина
sales01@semi-cera.com

© Авторски права - 2018-2027: Сите права се задржани.Мапа на сајтот
Си нафора, тантал карбид, TaC облога, SiC супстрат, Епи нафора, Кинески графит филц и крут филц,

Испрати е-пошта