Дома
За нас
Производи
Контактирајте со нас
Карактеристика
Најчесто поставувани прашања
Вести
- Вести од компанијата
- Вести од индустријата

Дома
Нафора
SiC супстрат

Категории

CVD SiC облога
CVD TaC облога
Технологија за површинска обработка
Силикон карбид керамика
Полупроводнички кварц
Производи од полупроводнички графит
- Силиконизиран графит
- Изостатски графитни компоненти
Јаглеродни влакна
Нафора
Повеќе керамички производи

Истакнати производи

Тантал карбид TaC CVD облога Прилагодени делови
Прстен обложен со тантал карбид
Високопрецизен SiC керамички ефектор
Конзолно лопатка од силициум карбид
Долг работен век Носач за графит обложен со SiC за така...
Алатка за графит обложен со силикон карбид, за Epitaxy C...
Антиоксидациски MOCVD фиока обложена со SiC со висока чистота
Структура на барел за обложување на SiC за сусцептор за буриња
Полупроводнички делови од второто полувреме за епитаксија

SiC супстрат

4 инчи со висока чистота полуизолациски HPSI SiC двострана полиран нафора подлога
3C-SiC нафора подлога
6 инчен N-тип на SiC супстрат
4 инчен SiC подлога N-тип
Силициум карбид супстрати|SiC наполитанки

<< < Претходно 1 2

информации

Профил на компанијата
Контактирајте со нас
Сертификација и чест
Производи

ново писмо

За прашања за нашите производи или ценовник, ве молиме оставете ни ја вашата е-пошта и ќе стапиме во контакт во рок од 24 часа.

Прашање за ценовник

нашиот контакт

86-13373889683
777, Западен пат Zhongguan, округ Zhenhai, Ningbo, Жеџијанг, 315201, Кина
sales01@semi-cera.com

© Авторски права - 2018-2027: Сите права се задржани.Мапа на сајтот
TaC облога, Си нафора, тантал карбид, SiC супстрат, Кинески графит филц и крут филц, Епи нафора,

Испрати е-пошта