Цврст CVD SiC прстен

Краток опис:

Цврстите CVD SiC прстени главно се составени од силициум карбид (SiC) и имаат одлични физички и хемиски својства. Силициум карбид е керамички материјал со висока точка на топење, висока цврстина и одлична отпорност на корозија. Покажува одлична топлинска спроводливост, хемиска стабилност и механичка сила на високи температури и има одлична отпорност на абење и абење.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Зошто е Цврст CVD SiC прстен?

Цврсти CVD SiC прстенисе широко користени во индустриски и научни области во високи температури, корозивни и абразивни средини. Тој игра важна улога во повеќе области на примена, вклучувајќи:

1. Производство на полупроводници:Цврсти CVD SiC прстениможе да се користи за греење и ладење на полупроводничка опрема, обезбедувајќи стабилна контрола на температурата за да се обезбеди точност и конзистентност на процесот.

2. Оптоелектроника: Поради одличната топлинска спроводливост и отпорноста на високи температури,Цврсти CVD SiC прстениможе да се користи како материјали за поддршка и дисипација на топлина за ласери, опрема за комуникација со оптички влакна и оптички компоненти.

3. Прецизни машини: Цврсти CVD SiC прстени може да се користат за прецизни инструменти и опрема во високи температури и корозивни средини, како што се печки со висока температура, вакуумски уреди и хемиски реактори.

4. Хемиска индустрија: Цврстите CVD SiC прстени може да се користат во контејнери, цевки и реактори во хемиски реакции и каталитички процеси поради нивната отпорност на корозија и хемиска стабилност.

Наша предност, зошто да изберете Semicera?

✓ Врвен квалитет на кинескиот пазар

✓Добра услуга секогаш за вас, 7*24 часа

✓Краток датум на испорака

✓Мал MOQ е добредојден и прифатен

✓Прилагодени услуги

Апликација

Подложник за раст на епитаксија

Наполитанките од силикон/силициум карбид треба да поминат низ повеќе процеси за да се користат во електронски уреди. Важен процес е силикон/сик епитаксијата, во која силициум/сик наполитанките се носат на графитна основа. Посебните предности на графитната основа на Semicera обложена со силициум карбид вклучуваат исклучително висока чистота, униформа облога и исклучително долг работен век. Тие исто така имаат висока хемиска отпорност и термичка стабилност.

Силиконски епитаксиски сусцептор

Епитаксии на силициум карбид

Производство на LED чипови

За време на обемното обложување на реакторот MOCVD, планетарната основа или носач ја поместува нафората на подлогата. Изведбата на основниот материјал има големо влијание врз квалитетот на облогата, што пак влијае на стапката на отпадоци на чипот. Основата на Semicera обложена со силициум карбид ја зголемува ефикасноста на производството на висококвалитетните LED обланди и го минимизира отстапувањето на брановата должина. Ние, исто така, обезбедуваме дополнителни графитни компоненти за сите MOCVD реактори што се користат во моментот. Можеме да ја обложиме речиси секоја компонента со облога од силициум карбид, дури и ако дијаметарот на компонентата е до 1,5 M, сепак можеме да обложиме со силициум карбид.

ЛЕД Епитаксиа Сусцептор

Полупроводнички поле, процес на дифузија на оксидација, итн.

Во процесот на полупроводници, процесот на експанзија на оксидација бара висока чистота на производот, а во Semicera нудиме услуги за обичај и CVD обложување за повеќето делови од силициум карбид.

Следната слика ја прикажува грубо обработената кашеста маса од силициум карбид на Semicea и цевката за печка со силициум карбид што се чисти во 1000-нивобез прашинасоба. Нашите работници работат пред обложување. Чистотата на нашиот силициум карбид може да достигне 99,99%, а чистотата на sic облогата е поголема од 99,99995%.