Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (TaC чувствителни обложени со графит), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот.Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.
Силициум карбид (SiC) е клучен материјал во третата генерација на полупроводници, но неговата стапка на издашност е ограничувачки фактор за растот на индустријата.По опсежното тестирање во лабораториите на Semicera, откриено е дека прсканиот и синтеруваниот TaC ја нема потребната чистота и униформност.Спротивно на тоа, CVD процесот обезбедува ниво на чистота од 5 PPM и одлична униформност.Употребата на CVD TaC значително ја подобрува стапката на принос на наполитанките од силициум карбид.Ги поздравуваме дискусиитеTaC обложени графитни прстени со три сегменти за дополнително намалување на трошоците за наполитанките SiC.
По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој.Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна.Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Simicera за раст на еден кристал.
со и без TaC
По користење на TaC (десно)
Покрај тоа, на SemiceraПроизводи обложени со TaCпокажуваат подолг работен век и поголема отпорност на високи температури во споредба соSiC облоги.Лабораториските мерења покажаа дека нашитеTaC облогиможе постојано да работи на температури до 2300 Целзиусови степени за подолги периоди.Подолу се неколку примери од нашите примероци:
