Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (TaC чувствителни обложени со графит), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот.Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.
Графитот е одличен материјал со висока температура, но лесно се оксидира на високи температури.Дури и во вакуумски печки со инертен гас, тој сè уште може да претрпи бавна оксидација.Користењето на CVD тантал карбид (TaC) слој може ефикасно да ја заштити графитната подлога, обезбедувајќи иста отпорност на висока температура како и графитот.TaC е исто така инертен материјал, што значи дека нема да реагира со гасови како аргон или водород на високи температури.ИстражувањеТантал карбид CVD облога EPI сусцептор сега!
По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој.Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна.Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Simicera за раст на еден кристал.
со и без TaC
По користење на TaC (десно)
Покрај тоа, на SemiceraПроизводи обложени со TaCпокажуваат подолг работен век и поголема отпорност на високи температури во споредба соSiC облоги.Лабораториските мерења покажаа дека нашитеTaC облогиможе постојано да работи на температури до 2300 Целзиусови степени за подолги периоди.Подолу се неколку примери од нашите примероци:
