Опис на производот
Нашата компанија обезбедува услуги на процесот на обложување на SiC со CVD метод на површината на графит, керамика и други материјали, така што специјалните гасови кои содржат јаглерод и силициум реагираат на висока температура за да се добијат молекули на SiC со висока чистота, молекули депонирани на површината на обложените материјали, формирајќи SIC заштитен слој.
Главни карактеристики:
1. Отпорност на оксидација на висока температура:
отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600 C.
2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање на висока температура.
3. Отпорност на ерозија: висока цврстина, компактна површина, фини честички.
4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.
1111111斯蒂芬森
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
Главни спецификации на CVD-SIC облогата
| Својства на SiC-CVD | ||
| Кристална структура | FCC β фаза | |
| Густина | g/cm ³ | 3.21 |
| Цврстина | Викерс цврстина | 2500 |
| Големина на зрно | μm | 2~10 |
| Хемиска чистота | % | 99,99995 |
| Топлински капацитет | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Температура на сублимација | ℃ | 2700 |
| Фелексурална сила | MPa (RT 4-точка) | 415 |
| Модул на Јанг | Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃) | 430 |
| Термичка експанзија (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Топлинска спроводливост | (W/mK) | 300 |
