Поддржувач со обложен SiC за длабоко UV-LED

Поддржувач со обложен SiC за длабинска ултра-ЛЕД-избрана слика

Краток опис:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. е водечки снабдувач на напредна полупроводничка керамика.Нашите главни производи вклучуваат: гравирани дискови со силициум карбид, приколки за бродови со силициум карбид, бродови со нафора од силициум карбид (PV и полупроводници), цевки за печки од силициум карбид, конзолни лопатки од силициум карбид, чак со силициум карбид, силициум карбид греди и C, како и TaC облоги.

Производите главно се користат во полупроводничките и фотоволтаичните индустрии, како што се раст на кристали, епитаксија, офорт, пакување, обложување и опрема за дифузна печка.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Опис

Нашата компанија обезбедува услуги на процесот на обложување на SiC со CVD метод на површината на графит, керамика и други материјали, така што специјалните гасови кои содржат јаглерод и силициум реагираат на висока температура за да се добијат молекули на SiC со висока чистота, молекули депонирани на површината на обложените материјали, формирајќи SIC заштитен слој.

УВ-LED-1

УВ-LED-2

Главни карактеристики

1. Отпорност на оксидација на висока температура: отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600 C.
2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање на висока температура.
3. Отпорност на ерозија: висока цврстина, компактна површина, фини честички.
4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.

Главни спецификации на CVD-SIC облогата

Својства на SiC-CVD
Кристална структура	FCC β фаза
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	μm	2~10
Хемиска чистота	%	99,99995
Топлински капацитет	J·kg-1·K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модулот на Јанг	Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)	430
Термичка експанзија (CTE)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300