Материјална структура и својства на синтеруван силициум карбид под атмосферски притисок

【 Резиме опис 】 Во современите C, N, B и другите неоксидни високотехнолошки огноотпорни суровини, синтеруваниот силициум карбид со атмосферски притисок е обемен и економичен и може да се каже дека е шмиргла или огноотпорен песок.Чистиот силициум карбид е безбоен проѕирен кристал.Значи, каква е структурата на материјалот и карактеристиките на силициум карбид?

Материјална структура на синтеруван силициум карбид со атмосферски притисок:

Силикон карбид синтеруван со атмосферски притисок што се користи во индустријата е светло жолт, зелен, сино и црн според видот и содржината на нечистотиите, а чистотата е различна и проѕирноста е различна.Кристалната структура на силициум карбид е поделена на плутониум во форма на шест зборови или дијамант и кубен плутониум-сик.Плутониум-сик формира различни деформации поради различниот редослед на натрупување на атоми на јаглерод и силициум во кристалната структура, а пронајдени се повеќе од 70 видови на деформации.бета-SIC се претвора во алфа-SIC над 2100. Индустрискиот процес на силициум карбид е рафиниран со висококвалитетен кварцен песок и нафтен кокс во отпорна печка.Рафинирани блокови од силициум карбид се дробат, киселинско-базно чистење, магнетно одвојување, скрининг или избор на вода за производство на различни производи со големина на честички.

Карактеристики на материјалот на синтеруван силициум карбид со атмосферски притисок:

Силициум карбид има добра хемиска стабилност, топлинска спроводливост, коефициент на термичка експанзија, отпорност на абење, така што покрај абразивната употреба, има многу намени: На пример, прашокот од силициум карбид е обложен на внатрешниот ѕид на колото на турбината или блокот на цилиндрите со посебен процес, кој може да ја подобри отпорноста на абење и да го продолжи животниот век од 1 до 2 пати.Направени од отпорни на топлина, мали димензии, мала тежина, висока јачина на висококвалитетни огноотпорни материјали, енергетската ефикасност е многу добра.Силициум карбид со низок степен (вклучувајќи околу 85% SiC) е одличен деоксидатор за зголемување на брзината на производство на челик и лесно контролирање на хемискиот состав за подобрување на квалитетот на челикот.Покрај тоа, синтеруваниот силициум карбид со атмосферски притисок е исто така широко користен во производството на електрични делови од силиконски јаглеродни прачки.

Силициум карбид е многу тврд.Тврдоста на Морзе е 9,5, втор само по тврдиот дијамант во светот (10), е полупроводник со одлична топлинска спроводливост, може да се спротивстави на оксидација на високи температури.Силициум карбид има најмалку 70 кристални типови.Плутониум-силициум карбид е вообичаен изомер кој се формира на температури над 2000 и има хексагонална кристална структура (слична на вурцитот).Синтеруван силициум карбид под атмосферски притисок

Примена на силициум карбид во полупроводничка индустрија

Синџирот на индустријата за полупроводнички силициум карбид главно вклучува прашок со висока чистота на силициум карбид, супстрат со еден кристал, епитаксијален лист, компоненти за напојување, пакување на модули и апликации за терминали.

1. Еднокристална подлога Подлогата со еден кристал е полупроводнички потпорен материјал, спроводлив материјал и подлога за епитаксален раст.Во моментов, методите на раст на SiC еднокристал вклучуваат метод на физички пренос на пареа (метод PVT), метод на течна фаза (метод LPE) и метод на хемиско таложење на пареа на висока температура (метод HTCVD).Синтеруван силициум карбид под атмосферски притисок

2. Епитаксијален лист Силициум карбид епитаксијален лист, силициум карбид лист, еднокристален филм (епитаксијален слој) со иста насока како и кристалот на подлогата кој има одредени барања за подлогата од силициум карбид.Во практична примена, полупроводничките уреди со јаз со широк опсег се речиси сите произведени во епитаксијалниот слој, а самиот силиконски чип се користи само како подлога, вклучително и подлогата на епитаксијалниот слој GaN.

3. Прашок од силициум карбид со висока чистота Високочистиот силициум карбид во прав е суровина за раст на еднокристалот на силициум карбид со PVT метод, а чистотата на производот директно влијае на квалитетот на растот и електричните карактеристики на еднокристалот на силициум карбид.

4. Уредот за напојување е моќност со широк опсег направен од материјал од силициум карбид, кој има карактеристики на висока температура, висока фреквенција и висока ефикасност.Според работната форма на уредот, уредот за напојување SiC главно вклучува диода за напојување и цевка за прекинувач за напојување.

5. Терминал Во апликациите за полупроводници од третата генерација, полупроводниците од силициум карбид имаат предност што се комплементарни со полупроводниците од галиум нитрид.Поради високата ефикасност на конверзија, ниските карактеристики на греење, лесните и другите предности на SiC уредите, побарувачката на низводно индустријата продолжува да се зголемува, а постои тренд да се заменат уредите SiO2.