Начин на подготовка на облога со силициум карбид

Во моментов, методите за подготовка на облогата SiC главно вклучуваат метод на гел-сол, метод на вградување, метод на обложување со четка, метод на прскање со плазма, метод на хемиска реакција на гас (CVR) и метод на хемиско таложење на пареа (CVD).

Метод на вградување:

Методот е еден вид високотемпературно синтерување во цврста фаза, кое главно ја користи мешавината на Si прав и C прав како вградувачки прав, графитната матрица се става во прашокот за вградување, а синтерувањето на висока температура се врши во инертен гас. , и на крајот се добива SiC облогата на површината на графитната матрица.Процесот е едноставен и комбинацијата помеѓу облогата и подлогата е добра, но униформноста на облогата долж насоката на дебелината е слаба, што лесно се создаваат повеќе дупки и доведува до слаба отпорност на оксидација.

Метод на обложување со четка:

Методот на обложување со четка е главно да се исчетка течната суровина на површината на графитната матрица, а потоа да се излечи суровината на одредена температура за да се подготви облогата.Процесот е едноставен, а цената е мала, но облогата подготвена со методот на обложување со четка е слаба во комбинација со подлогата, униформноста на облогата е слаба, облогата е тенка и отпорноста на оксидација е мала, а потребни се други методи за помош тоа.

Метод на прскање со плазма:

Методот на прскање со плазма е главно да се прскаат стопените или полустопените суровини на површината на графитната матрица со плазма пиштол, а потоа да се зацврсти и да се врзе за да се формира облога.Методот е едноставен за ракување и може да подготви релативно густа облога од силициум карбид, но облогата со силициум карбид подготвена со методот е често премногу слаба и доведува до слаба отпорност на оксидација, па затоа генерално се користи за подготовка на композитен слој SiC за да се подобри квалитетот на облогата.

Метод на гел-сол:

Методот на гел-сол главно е да се подготви униформен и транспарентен раствор на сол што ја покрива површината на матрицата, сушејќи се во гел и потоа синтерување за да се добие облога.Овој метод е едноставен за ракување и ниска цена, но произведената обвивка има некои недостатоци како што се ниска отпорност на термички удар и лесно пукање, па затоа не може да се користи широко.

Хемиска гасна реакција (CVR):

CVR главно генерира SiC облога со користење на Si и SiO2 прав за генерирање на пареа SiO на висока температура, а на површината на подлогата од C материјал се случуваат серија хемиски реакции.SiC облогата подготвена со овој метод е тесно врзана за подлогата, но температурата на реакцијата е повисока и цената е повисока.

Хемиско таложење на пареа (CVD):

Во моментов, CVD е главната технологија за подготовка на SiC облога на површината на подлогата.Главниот процес е серија физички и хемиски реакции на материјалот од гасна фаза на реактант на површината на подлогата, и на крајот SiC облогата се подготвува со таложење на површината на подлогата.SiC облогата подготвена со CVD технологијата е тесно врзана за површината на подлогата, што може ефикасно да ја подобри отпорноста на оксидација и аблативната отпорност на материјалот на подлогата, но времето на таложење на овој метод е подолго, а реакциониот гас има одреден токсичен гас.