Како една од основните компоненти наMOCVD опрема, графитната основа е носител и грејно тело на подлогата, која директно ја определува униформноста и чистотата на филмскиот материјал, така што неговиот квалитет директно влијае на подготовката на епитаксијалниот лист, а во исто време, со зголемувањето на бројот на користи и промена на условите за работа, многу лесно се носи, припаѓајќи на потрошен материјал.
Иако графитот има одлична топлинска спроводливост и стабилност, тој има добра предност како основна компонента наMOCVD опрема, но во процесот на производство, графитот ќе го кородира прашокот поради остатоците од корозивни гасови и метални органски материи, а работниот век на графитната основа значително ќе се намали.Во исто време, графитниот прав што паѓа ќе предизвика загадување на чипот.
Појавата на технологија за обложување може да обезбеди фиксација на површинскиот прав, да ја подобри топлинската спроводливост и да ја изедначи дистрибуцијата на топлина, што стана главна технологија за решавање на овој проблем.Графитна основа воMOCVD опремаопкружување за употреба, облогата на графитната основа треба да ги исполнува следниве карактеристики:
(1) Графитната основа може да биде целосно завиткана, а густината е добра, инаку графитната основа е лесно да се кородира во корозивниот гас.
(2) Јачината на комбинацијата со графитната основа е висока за да се осигура дека облогата не е лесно да падне по неколку циклуси на висока температура и ниска температура.
(3) Има добра хемиска стабилност за да се избегне дефект на облогата при висока температура и корозивна атмосфера.
SiC ги има предностите на отпорност на корозија, висока топлинска спроводливост, отпорност на термички шок и висока хемиска стабилност и може да работи добро во епитаксиалната атмосфера GaN.Покрај тоа, коефициентот на термичка експанзија на SiC многу малку се разликува од оној на графитот, така што SiC е префериран материјал за површинската обвивка на графитната основа.
Во моментов, заедничкиот SiC е главно тип 3C, 4H и 6H, а употребата на SiC на различни типови кристали е различна.На пример, 4H-SiC може да произведува уреди со висока моќност;6H-SiC е најстабилен и може да произведува фотоелектрични уреди;Поради сличната структура на GaN, 3C-SiC може да се користи за производство на епитаксиален слој GaN и производство на уреди SiC-GaN RF.3C-SiC е исто така познат какоβ-SiC, и важна употреба наβ-SiC е како филм и материјал за обложување, такаβ-SiC моментално е главен материјал за обложување.
Време на објавување: 06-11-2023 година