Буре со епиаксијален реактор обложен со SiC

Избрана слика од епитаксијален реактор со обложен SiC

Краток опис:

Semicera нуди сеопфатен асортиман на сензори и графитни компоненти дизајнирани за различни реактори со епитаксии.

Преку стратешки партнерства со водечки OEM во индустријата, голема експертиза за материјали и напредни производствени способности, Semicera испорачува приспособени дизајни за да ги задоволат специфичните барања на вашата апликација. Нашата посветеност на извонредност гарантира дека ќе добиете оптимални решенија за вашите потреби на реактор за епитаксии.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Ознаки на производи

Опис

Нашата компанија обезбедуваSiC облогаобработувајте услуги на површината на графит, керамика и други материјали со CVD метода, така што специјалните гасови што содржат јаглерод и силициум можат да реагираат на висока температура за да се добијат Sic молекули со висока чистота, кои можат да се наталожат на површината на обложени материјали за да формираатSiC заштитен слојза епитаксија барел тип hy pnotic.

како (1)

како (2)

Главни карактеристики

1. Отпорност на оксидација на висока температура:
отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600 C.
2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање на висока температура.
3. Отпорност на ерозија: висока цврстина, компактна површина, фини честички.
4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.

Главни спецификации на CVD-SIC облогата

Својства на SiC-CVD
Кристална структура	FCC β фаза
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	μm	2~10
Хемиска чистота	%	99,99995
Топлински капацитет	J·kg-1·K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модул на Јанг	Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)	430
Термичка експанзија (CTE)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300