Semicera Semicera обезбедува специјализирани облоги од тантал карбид (TaC) за различни компоненти и носачи.Водечкиот процес на обложување Semicera Semicera им овозможува на облогите од тантал карбид (TaC) да постигнат висока чистота, стабилност на висока температура и висока хемиска толеранција, подобрувајќи го квалитетот на производот на кристалите SIC/GAN и слоевите EPI (TaC чувствителни обложени со графит), и продолжување на животниот век на клучните компоненти на реакторот.Употребата на облогата TaC со тантал карбид е да се реши проблемот со рабовите и да се подобри квалитетот на растот на кристалите, а Semicera Semicera ја реши технологијата за обложување со тантал карбид (CVD), достигнувајќи меѓународно напредно ниво.
По години на развој, Semicera ја освои технологијата наCVD TaCсо заеднички напори на одделот за истражување и развој.Лесно се појавуваат дефекти во процесот на раст на наполитанките SiC, но по употребаTaC, разликата е значајна.Подолу е споредба на наполитанки со и без TaC, како и делови од Simicera за раст на еден кристал
со и без TaC
По користење на TaC (десно)
Дополнително, работниот век на производите за обложување TaC на Semicera е подолг и поотпорен на високи температури од оној на облогата со SiC.По долго време на податоци од лабораториски мерења, нашиот TaC може да работи долго време на максимални 2300 степени Целзиусови.Следниве се некои од нашите примероци:
(а) Шематски дијаграм на уред за одгледување инготи со еден кристал SiC со PVT метод (б) држач за семе обложено со горен TaC (вклучувајќи го и семето SiC) (в) Водечки прстен од графит обложен со TAC
